FORMATION OF A MULTI-DOMAIN SPATIAL STRUCTURE IN GaAs GUNN DIODE AS A NONLINEAR PHENOMENON
Cite this article as:
Usanov . А., Gorbatov S. S., Kvasko V. Y. FORMATION OF A MULTI-DOMAIN SPATIAL STRUCTURE IN GaAs GUNN DIODE AS A NONLINEAR PHENOMENON. Izvestiya VUZ. Applied Nonlinear Dynamics, 2013, vol. 21, iss. 5, pp. 51-59. DOI: https://doi.org/10.18500/0869-6632-2013-21-5-51-59
Experimental studies of stationary distributions of the electric field intensity and the concentration of charge carriers in the Gunn diode have been provided by using near-field microwave microscope. The numerical computer calculation of these quantities based on the dependence of electrons mobility and diffusion coefficient on the electric field has been carried out. The existence of a multidomain mode of Gunn diodes has been found experimentally and confirmed theoretically.
1. Пат. 2373545 C1 Российская Федерация, МПК G01R27/26. Устройство для измерения параметров материалов / Д.А. Усанов, С.С. Горбатов, А.Н. Сорокин, В.Ю. Кваско; No 2008122332/28; заявл. 03.06.2008. опубл. 20.11.2009.
2. Усанов Д.А. Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Ближнеполевой СВЧ-микроскоп с низкоразмерным резонатором типа «индуктивная диафрагма–емкостная диафрагма» // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 2010. Вып. 6. С. 66.
3. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Резонансы в волноводной системе «штырь с зазором–близкорасположенный поршень» // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 2006. Т. 49, No 2. С. 27.
4. Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Измерение подвижности и концентрации носителей заряда в арсенид-галлиевом диоде Ганна с помощью ближнеполевого СВЧ-микроскопа // Изв. вузов. Электроника. 2013. No 2 (100). С. 77.
5. Murayama K., Ohmi T. Static negative resistance in highly doped Gunn diodes and application to switching and amplification // Japan J. Appl. Phys. 1973. Vol. 12, No 12. P. 1931.
6. Барейкис В., Матулёнис А., Пожела Ю. и др. Электроны в полупроводниках. Вып.3. Диффузия горячих электронов / Под ред. Пожелы Ю. Вильнюс: Мокслас, 1981.
7. Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Леидерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках / Под ред. Е.И. Гальперина. М.: Сов. радио, 1978.
8. Трубецков Д.И., Мчедлова Е.С., Красичков Л.В. Введение в теорию самоорганизации открытых систем. М.: Физматлит, 2002. 200 с.
BibTeX
author = { Dmitry А. Usanov and S. S. Gorbatov and V. Yu. Kvasko},
title = {FORMATION OF A MULTI-DOMAIN SPATIAL STRUCTURE IN GaAs GUNN DIODE AS A NONLINEAR PHENOMENON},
year = {2013},
journal = {Izvestiya VUZ. Applied Nonlinear Dynamics},
volume = {21},number = {5},
url = {https://old-andjournal.sgu.ru/en/articles/formation-of-multi-domain-spatial-structure-in-gaas-gunn-diode-as-nonlinear-phenomenon},
address = {Саратов},
language = {russian},
doi = {10.18500/0869-6632-2013-21-5-51-59},pages = {51--59},issn = {0869-6632},
keywords = {Near-field microwave microscopy,Gunn diode,mobility,diffusion coefficient,and the domain of a strong electric field.},
abstract = {Experimental studies of stationary distributions of the electric field intensity and the concentration of charge carriers in the Gunn diode have been provided by using near-field microwave microscope. The numerical computer calculation of these quantities based on the dependence of electrons mobility and diffusion coefficient on the electric field has been carried out. The existence of a multidomain mode of Gunn diodes has been found experimentally and confirmed theoretically. }}