ФОРМИРОВАНИЕ МНОГОДОМЕННОЙ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ СТРУКТУРЫ В АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВОМ ДИОДЕ ГАННА КАК НЕЛИНЕЙНЫЙ ФЕНОМЕН
Образец для цитирования:
Проведены экспериментальные исследования с помощью ближнеполевого СВЧ-микроскопа стационарных распределений напряженности электрического поля и концентрации носителей заряда в диоде Ганна. Выполнен компьютерный расчет этих величин, с учетом зависимости подвижности и коэффициента диффузии электронов от напряженности электрического поля. Экспериментально обнаружена и подтверждена теоретически возможность существования многодоменного режима диодов Ганна.
1. Пат. 2373545 C1 Российская Федерация, МПК G01R27/26. Устройство для измерения параметров материалов / Д.А. Усанов, С.С. Горбатов, А.Н. Сорокин, В.Ю. Кваско; No 2008122332/28; заявл. 03.06.2008. опубл. 20.11.2009.
2. Усанов Д.А. Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Ближнеполевой СВЧ-микроскоп с низкоразмерным резонатором типа «индуктивная диафрагма–емкостная диафрагма» // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 2010. Вып. 6. С. 66.
3. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Резонансы в волноводной системе «штырь с зазором–близкорасположенный поршень» // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 2006. Т. 49, No 2. С. 27.
4. Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Измерение подвижности и концентрации носителей заряда в арсенид-галлиевом диоде Ганна с помощью ближнеполевого СВЧ-микроскопа // Изв. вузов. Электроника. 2013. No 2 (100). С. 77.
5. Murayama K., Ohmi T. Static negative resistance in highly doped Gunn diodes and application to switching and amplification // Japan J. Appl. Phys. 1973. Vol. 12, No 12. P. 1931.
6. Барейкис В., Матулёнис А., Пожела Ю. и др. Электроны в полупроводниках. Вып.3. Диффузия горячих электронов / Под ред. Пожелы Ю. Вильнюс: Мокслас, 1981.
7. Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Леидерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках / Под ред. Е.И. Гальперина. М.: Сов. радио, 1978.
8. Трубецков Д.И., Мчедлова Е.С., Красичков Л.В. Введение в теорию самоорганизации открытых систем. М.: Физматлит, 2002. 200 с.
BibTeX
author = {Дмитрий Александрович Усанов and Сергей Сергеевич Горбатов and Владимир Юрьевич Кваско },
title = {ФОРМИРОВАНИЕ МНОГОДОМЕННОЙ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ СТРУКТУРЫ В АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВОМ ДИОДЕ ГАННА КАК НЕЛИНЕЙНЫЙ ФЕНОМЕН},
year = {2013},
journal = {Известия высших учебных заведений. Прикладная нелинейная динамика},
volume = {21},number = {5},
url = {https://old-andjournal.sgu.ru/ru/articles/formirovanie-mnogodomennoy-prostranstvennoy-struktury-v-arsenid-gallievom-diode-ganna-kak},
address = {Саратов},
language = {russian},
doi = {10.18500/0869-6632-2013-21-5-51-59},pages = {51--59},issn = {0869-6632},
keywords = {Ближнеполевая СВЧ-микроскопия,диод Ганна,подвижность электронов,коэффициент диффузии,домен сильного электрического поля.},
abstract = {Проведены экспериментальные исследования с помощью ближнеполевого СВЧ-микроскопа стационарных распределений напряженности электрического поля и концентрации носителей заряда в диоде Ганна. Выполнен компьютерный расчет этих величин, с учетом зависимости подвижности и коэффициента диффузии электронов от напряженности электрического поля. Экспериментально обнаружена и подтверждена теоретически возможность существования многодоменного режима диодов Ганна. }}