NONLINEAR DYNAMICS OF THE FORMATION OF A SPATIALLY INHOMOGENEOUS STRUCTURE IN PIN DIODE
Cite this article as:
Usanov . А., Gorbatov S. S., Kvasko V. Y., Fadeev А. V. NONLINEAR DYNAMICS OF THE FORMATION OF A SPATIALLY INHOMOGENEOUS STRUCTURE IN PIN DIODE. Izvestiya VUZ. Applied Nonlinear Dynamics, 2014, vol. 22, iss. 4, pp. 91-99. DOI: https://doi.org/10.18500/0869-6632-2014-22-4-91-99
The paper presents the results of experimental investigation of stationary distributions of the electric field and the charge carrier concentration in the PIN diode. The investigations have been carried out by use of nearfield scanning microwave microscope. Numerical calculations of these values have been performed taking into account the dependence of the mobility and the diffusion coefficient of electrons and holes on the electric field. The alternating maxima and minima form of the field distribution near the contacts and the conductivity has been demonstrated.
1. Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Нелинейная динамика формирования доменной структуры в арсенид-галлиевом диоде Ганна // Изв. вузов. Прикладная нелинейная динамика. 2013. Т 21, No 5. С. 51.
2. Адирович Э.И. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М.: Сов. радио, 1978.
3. Баранов Л.И., Гаманюк В.Б., Усанов Д.А. К теории p-n-n+ и p-n-m диодов // Радиотехника и электроника. 1972. No 11. С. 2409.
4. Mayer J.W., Marsh O., Baron R. Double injection in long silicon p-π-n structures // J. Appl. Phys. 1968. Vol. 39, No 3. P. 1447.
5. Баранов Л.И., Вагарин А.Ю., Гаманюк В.Б., Усанов Д.А. Отклонение от нейтральности в слоистых полупроводниковых структурах в результате двойной инжекции // Проблемы диэлектрической электроники. Ташкент, 1974. С. 499.
6. Грибников З.С. Пространственные осцилляции электрического поля и концентрации носителей заряда при биполярном дрейфе в полупроводнике // ФТП. 1975. Т. 9, No 9. С. 1710.
7. Усанов Д.А. Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Ближнеполевой СВЧ-микроскоп с низкоразмерным резонатором типа «индуктивная диафрагма – емкостная диафрагма» // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. 2010. Вып. 6. С. 66.
8. Пат. 2373545 С1 Российская Федерация, МПК G01R27/26. Устройство для измерения параметров материалов / Д.А. Усанов, С.С. Горбатов, А.Н. Сорокин, В.Ю. Кваско; No 2008122332/28; заявл. 03.06.2008. опубл. 20.11.2009.
9. Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях/ Пер. с англ. А.Ф. Волкова и А.Я. Шульмана. М.: Мир, 1970.
10. Барейкис В. Электроны в полупроводниках. Вып. 3. Диффузия горячих электронов / Под ред. Ю. Пожелы. Вильнюс: Мокслас, 1981. 212 c.
11. Роуз А. Основы теории фотопроводимости / Пер. с англ. А.А. Рогачева и Р.Ю. Хансеварова. М.: Мир, 1966.
12. Трубецков Д.И., Мчедлова Е.С., Красичков Л.В. Введение в теорию самоорганизации открытых систем. М.: Физматлит, 2002.
BibTeX
author = { Dmitry А. Usanov and S. S. Gorbatov and V. Yu. Kvasko and А. V. Fadeev},
title = {NONLINEAR DYNAMICS OF THE FORMATION OF A SPATIALLY INHOMOGENEOUS STRUCTURE IN PIN DIODE},
year = {2014},
journal = {Izvestiya VUZ. Applied Nonlinear Dynamics},
volume = {22},number = {4},
url = {https://old-andjournal.sgu.ru/en/articles/nonlinear-dynamics-of-the-formation-of-spatially-inhomogeneous-structure-in-pin-diode},
address = {Саратов},
language = {russian},
doi = {10.18500/0869-6632-2014-22-4-91-99},pages = {91--99},issn = {0869-6632},
keywords = {Near-field microwave microscopy,PIN diode,mobility,diffusion coefficient.},
abstract = {The paper presents the results of experimental investigation of stationary distributions of the electric field and the charge carrier concentration in the PIN diode. The investigations have been carried out by use of nearfield scanning microwave microscope. Numerical calculations of these values have been performed taking into account the dependence of the mobility and the diffusion coefficient of electrons and holes on the electric field. The alternating maxima and minima form of the field distribution near the contacts and the conductivity has been demonstrated. }}