НЕЛИНЕЙНАЯ ДИНАМИКА ФОРМИРОВАНИЯ ПРОСТРАНСТВЕННО-НЕОДНОРОДНОЙ СТРУКТУРЫ В P-I-N ДИОДЕ
Образец для цитирования:
Приведены результаты экспериментальных исследований с помощью ближнеполевого сканирующего СВЧ микроскопа стационарных распределений напряженности электрического поля и концентрации носителей заряда в p-i-n диоде, а также выполнен численный расчет этих величин, с учетом зависимости подвижности и коэффициента диффузии электронов и дырок от напряженности электрического поля. Показано, что вблизи контактов распределение поля и проводимости носит характер чередующихся максимумов и минимумов.
1. Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Нелинейная динамика формирования доменной структуры в арсенид-галлиевом диоде Ганна // Изв. вузов. Прикладная нелинейная динамика. 2013. Т 21, No 5. С. 51.
2. Адирович Э.И. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М.: Сов. радио, 1978.
3. Баранов Л.И., Гаманюк В.Б., Усанов Д.А. К теории p-n-n+ и p-n-m диодов // Радиотехника и электроника. 1972. No 11. С. 2409.
4. Mayer J.W., Marsh O., Baron R. Double injection in long silicon p-π-n structures // J. Appl. Phys. 1968. Vol. 39, No 3. P. 1447.
5. Баранов Л.И., Вагарин А.Ю., Гаманюк В.Б., Усанов Д.А. Отклонение от нейтральности в слоистых полупроводниковых структурах в результате двойной инжекции // Проблемы диэлектрической электроники. Ташкент, 1974. С. 499.
6. Грибников З.С. Пространственные осцилляции электрического поля и концентрации носителей заряда при биполярном дрейфе в полупроводнике // ФТП. 1975. Т. 9, No 9. С. 1710.
7. Усанов Д.А. Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Ближнеполевой СВЧ-микроскоп с низкоразмерным резонатором типа «индуктивная диафрагма – емкостная диафрагма» // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. 2010. Вып. 6. С. 66.
8. Пат. 2373545 С1 Российская Федерация, МПК G01R27/26. Устройство для измерения параметров материалов / Д.А. Усанов, С.С. Горбатов, А.Н. Сорокин, В.Ю. Кваско; No 2008122332/28; заявл. 03.06.2008. опубл. 20.11.2009.
9. Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях/ Пер. с англ. А.Ф. Волкова и А.Я. Шульмана. М.: Мир, 1970.
10. Барейкис В. Электроны в полупроводниках. Вып. 3. Диффузия горячих электронов / Под ред. Ю. Пожелы. Вильнюс: Мокслас, 1981. 212 c.
11. Роуз А. Основы теории фотопроводимости / Пер. с англ. А.А. Рогачева и Р.Ю. Хансеварова. М.: Мир, 1966.
12. Трубецков Д.И., Мчедлова Е.С., Красичков Л.В. Введение в теорию самоорганизации открытых систем. М.: Физматлит, 2002.
BibTeX
author = {Дмитрий Александрович Усанов and Сергей Сергеевич Горбатов and Владимир Юрьевич Кваско and Алексей Владимирович Фадеев },
title = {НЕЛИНЕЙНАЯ ДИНАМИКА ФОРМИРОВАНИЯ ПРОСТРАНСТВЕННО-НЕОДНОРОДНОЙ СТРУКТУРЫ В P-I-N ДИОДЕ},
year = {2014},
journal = {Известия высших учебных заведений. Прикладная нелинейная динамика},
volume = {22},number = {4},
url = {https://old-andjournal.sgu.ru/ru/articles/nelineynaya-dinamika-formirovaniya-prostranstvenno-neodnorodnoy-struktury-v-p-i-n-diode},
address = {Саратов},
language = {russian},
doi = {10.18500/0869-6632-2014-22-4-91-99},pages = {91--99},issn = {0869-6632},
keywords = {Ближнеполевая СВЧ микроскопия,p-i-n диод,подвижность,коэффициент диффузии.},
abstract = {Приведены результаты экспериментальных исследований с помощью ближнеполевого сканирующего СВЧ микроскопа стационарных распределений напряженности электрического поля и концентрации носителей заряда в p-i-n диоде, а также выполнен численный расчет этих величин, с учетом зависимости подвижности и коэффициента диффузии электронов и дырок от напряженности электрического поля. Показано, что вблизи контактов распределение поля и проводимости носит характер чередующихся максимумов и минимумов. }}